[发明专利]一种改善APD响应度均匀性的方法和光电二极管在审
申请号: | 202310289329.3 | 申请日: | 2023-03-23 |
公开(公告)号: | CN116417526A | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 龚正致;李超翰;廖世容;万远涛 | 申请(专利权)人: | 浙江光特科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/107;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州航璞专利代理有限公司 33498 | 代理人: | 贾甜甜 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种改善APD响应度均匀性的方法和光电二极管;一种改善APD响应度均匀性的光电二极管,光电二极管的非活性区域上方设有抗反射涂层。一种改善APD响应度均匀性的方法,包括以下步骤:步骤1:在盖帽层上生长第一绝缘介质层,将需要扩散的区域的第一绝缘介质层刻蚀掉,之后由盖帽层上表面向下扩散形成P型层;步骤2:在第一绝缘介质层上部及内侧生长第二绝缘介质层,将第二绝缘介质层中间刻蚀掉;步骤3:在第二绝缘介质层及P型层上表面生长第三绝缘介质层,其中,第三绝缘介质层为具有抗反射功能的抗反射涂层。本发明的有益效果是:通过在非活性区域上方设置抗反射涂层,减少非活性区域(非光敏面)的表面反射,以改善响应度均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 apd 响应 均匀 方法 光电二极管 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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