[发明专利]一种高频低强度磁刺激通过AC/cAMP/PKA通路上调LTP维持期的分析方法在审
申请号: | 202310290456.5 | 申请日: | 2023-03-15 |
公开(公告)号: | CN116287094A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 郑羽;魏圣洁;田磊;东磊;刘绮雯;赵彤 | 申请(专利权)人: | 天津工业大学 |
主分类号: | C12Q1/02 | 分类号: | C12Q1/02;G01N33/573 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300387 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提出了一种高频低强度磁刺激通过AC/cAMP/PKA通路上调LTP维持期的分析方法,实验结果表明,磁刺激对HFS‑LTP与TBS‑LTP均有不同程度的上调,但对HFS‑LTP的上调效果明显强于TBS‑LTP;在HFS组中,适当剂量的NMDARs拮抗剂或cAMP抑制剂的添加均可完全抵消磁场对LTP的上调,cAMP浓度,AC1,AC8和PKA酶活性在经磁场处理后均较控制组上调。本发明通过信号发生器输出正弦波信号,经功率放大器放大输出电流,在磁刺激线圈上输出70kHz/2mT的高频低强度磁场,采用多电极阵列系统记录LTP信号,结合多种方法探究了高频低强度磁刺激影响突触可塑性的作用机制。 | ||
搜索关键词: | 一种 高频 强度 刺激 通过 ac camp pka 通路 上调 ltp 维持 分析 方法 | ||
【主权项】:
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