[发明专利]外延生长检测方法在审
| 申请号： | 202310291626.1 | 申请日： | 2023-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN116288689A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 丁雄傑;刘薇;李焕婷;张红;周泽成;邱树杰;李浩然;李锡光 | 申请（专利权）人： | 广东天域半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;G01D21/02;C30B25/16;C30B29/36 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 龙莉苹 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外延生长检测方法，提供一衬底托盘，所述衬底托盘上具有主容置槽和副容置槽；所述生长检测方法包括：步骤1，将生长衬底放置在所述主容置槽，将参考衬底放置于所述副容置槽；步骤2，控制所述衬底托盘匀速旋转并在所述衬底托盘上的衬底生长外延层，以使所述生长衬底上形成外延层的同时，所述参考衬底上形成参考外延层；步骤3，测试所述参考外延层的镀膜参数以作为所述外延层的检测参数。与现有技术相比，本发明可在生长衬底上生长的外延层的同时在参考衬底上生长参考外延层，检测参考外延层的参数以作为生长衬底上外延层的参数，无需破坏产品上的外延层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 检测 方法 | ||
【主权项】：
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