[发明专利]外延晶片以及半导体激光器在审
| 申请号： | 202310304148.3 | 申请日： | 2019-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN116247518A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈长安;郑兆祯 | 申请（专利权）人： | 深圳市中光工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种外延晶片以及半导体激光器。该外延晶片包括：衬底；功能层，功能层位于衬底上；其中，功能层中的至少部分层体掺杂有Mg；发光层，发光层位于功能层中，功能层用于驱动发光层发光。通过上述方式，本发明能够提高应用本发明外延晶片的激光器的特征温度，进而提高其电光转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 以及 半导体激光器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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