[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202310304370.3 | 申请日： | 2023-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN116056455B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H10N97/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，方法包括：提供基底，基底上具有电容结构；形成至少覆盖电容结构顶面与侧壁的初始上极板；沿垂直于基底表面的方向去除至少部分厚度的初始上极板，剩余的初始上极板作为上极板，位于电容结构的顶部的上极板的厚度为第一厚度；位于电容结构的侧壁的上极板的厚度为第二厚度，第一厚度小于第二厚度；形成覆盖上极板远离电容结构的一侧表面的导电层，导电层在沿垂直于基底表面的方向上的厚度与第一厚度之和小于第二厚度；形成位于上极板远离基底的一侧的布线层，且布线层与电容结构的顶部的导电层电连接。本公开实施例提供的半导体结构及其制造方法至少有利于提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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