[发明专利]一种改善表面形貌的SiC衬底预处理方法在审
| 申请号： | 202310308771.6 | 申请日： | 2023-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN116246945A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李哲洋;于乐;汪久龙;李永平;金锐;魏晓光 | 申请（专利权）人： | 北京智慧能源研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630 | 代理人： | 焦丽雅 |
| 地址： | 102200 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种改善表面形貌的SiC衬底预处理方法，在原位刻蚀过程中通入碳源、硅源，避免碳富集或硅富集造成表面形貌的劣化，并通过碳源、硅源的辅助处理效果起到提升表面损伤修复效果、降低表面粗糙度、以及抑制原子台阶聚并等作用，从而提供有着规则原子台阶结构的衬底表面，提升外延生长的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 表面 形貌 sic 衬底 预处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
