[发明专利]一种二维晶体材料的超低温普适制备方法在审
申请号: | 202310311268.6 | 申请日: | 2023-03-28 |
公开(公告)号: | CN116334579A | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 张礼杰;张克难;赵梅;佘宜洪 | 申请(专利权)人: | 温州大学新材料与产业技术研究院 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;C23C16/455 |
代理公司: | 北京深川专利代理事务所(普通合伙) 16058 | 代理人: | 覃海芬 |
地址: | 325000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种二维晶体材料的超低温普适制备方法,属于半导体材料技术领域。其包括以下步骤:采用碘化铅、碘化铋、碘化亚铟、碘化钴、碘化亚铁、碘化锡、碘化铬、碘化亚铜、碘化锰、碘化锌、碘化镍、碘化铂、碘化锑作为前驱体,单质硫、单质硒、单质碲为原料。首先通过物理气相沉积法在衬底上制备碘化铅、碘化铋、碘化亚铟、碘化钴、碘化亚铁、碘化锡、碘化铬、碘化亚铜、碘化锰、碘化锌、碘化镍、碘化铂、碘化锑的二维晶体材料。通过超低温原子替代法将上述二维碘化物二维晶体材料中的碘原子替换为硫原子、硒原子、碲原子,成功合成了13种二维硫化物晶体材料、13种二维硒化物晶体材料、13种二维碲化物晶体材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 二维 晶体 材料 超低温 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于温州大学新材料与产业技术研究院,未经温州大学新材料与产业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310311268.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的