[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310312129.5 | 申请日： | 2023-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN116504806A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 焦春坤;高博;胡飞;唐龙谷 | 申请（专利权）人： | 华为数字能源技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 时林;王君 |
| 地址： | 518043 广东省深圳市福田区香蜜湖街道香*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括有源区和终端区，在终端区的外延层内形成沿远离有源区的方向环宽和/或深度依次递减的N个场限环，可以减少半导体器件的终端区占用的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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