[发明专利]一种半导体单晶硅片抛光用的纳米硅铈粉末的制备工艺在审
申请号: | 202310315057.X | 申请日: | 2023-03-29 |
公开(公告)号: | CN116042180A | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 郑珊珊;苏国宝;方彤 | 申请(专利权)人: | 国科大杭州高等研究院 |
主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 邓世凤 |
地址: | 310024 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体单晶硅片抛光用的纳米硅铈粉末的制备工艺,包括以下步骤:S1配制硅酸钠溶液;S2配制酸溶液;S3将S2溶液滴入S1中,生成硅酸沉淀;S4将沉淀过滤水洗后,配制成硅酸悬浊液;S5将铈盐溶于S4中;S6将碱性溶解滴入S5液中,形成硅酸与氢氧化铈共沉淀;S7将S6的沉淀过滤,干燥,煅烧得到所需纳米硅铈复合粉末。本发明的复合粉末配制成抛光液,在相同浓度下,抛光效率高于进口抛光用的硅溶胶,同时解决硅溶胶结晶析出和难清洗等问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 单晶硅 抛光 纳米 粉末 制备 工艺 | ||
【主权项】:
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