[发明专利]TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法有效
| 申请号： | 202310316017.7 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116031334B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李倩;吝占胜;李青娟;王静;张东升;何广川;李志彬;刘新玉;魏双双;冉祖辉;李龙;张煌军;于波;张树骞 | 申请（专利权）人： | 英利能源发展（保定）有限公司;英利能源发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司： | 河北国维致远知识产权代理有限公司 13137 | 代理人： | 任青 |
| 地址： | 072150 河北省保定市满城*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法。本发明利用PECVD工序对抛光片实施氮化硅层沉积工艺，得镀膜片；在镀膜片上依次沉积隧穿氧化层和不同厚度的多晶硅层，得一系列具有不同多晶硅层厚度的标准片；在产线的监控位置放置镀膜片作为监控片，并与产线中的硅片共同接受隧穿氧化层和多晶硅层的沉积工艺，分别得沉积监控片和沉积硅片；将沉积监控片的颜色与标准片的颜色进行比对，判断沉积硅片的多晶硅层的厚度是否满足工艺要求。该判断方法缩短了现有技术利用椭偏仪测试多晶硅层厚度的测试周期，避免了大量不合格半成品的产生，无需抽取产线中的硅片，所用监控片可重复利用。 | ||
| 搜索关键词： | topcon 电池 生产过程 多晶 厚度 判断 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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