[发明专利]晶体管结构、半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202310318809.8 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116033750B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L29/78;H01L21/762;H01L21/764 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 成亚婷 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种晶体管结构、半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括衬底和字线结构；衬底具有间隔分布且沿第一方向及第二方向阵列排布的多个有源组；有源组包括在第二方向上相对且通过分隔槽隔开的两个半导体柱；第二方向与第一方向相交；字线结构包括与沿第一方向排列的任一列有源组对应设置的一个第一字线和两个第二字线；第一字线位于分隔槽内，两个第二字线分别位于对应半导体柱背离分隔槽的侧壁上；其中，第二字线和第一字线均沿第一方向延伸，且第二字线和第一字线在垂直于衬底的方向上错位设置。该半导体结构可以避免相邻两个字线之间的干扰，以减少器件在使用过程中的静态漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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