[发明专利]一种失效分析定位方法在审
| 申请号： | 202310318985.1 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116364571A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 付贺伟;茅茜茜 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 钟玉敏 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种失效分析定位方法，应用于半导体领域中。在本发明所提供的失效分析定位方法中，其首先提供一具有SRAM芯片的测试样品，然后，利用纳米探针设备，并根据获取的所述测试样品所对应的芯片设计电性参数和新增栅极脉冲电压，对预处理后的测试样品进行电性测量，以通过包含所述新增栅极脉冲电压后的电性测量模拟所述SRAM芯片的实际工作状态的方式，确定出所述失效存储单元中存在失效缺陷的MOS管。从而实现通过在现有的电性测量确定SRAM芯片的失效MOS管的失效分析过程中，引入新的脉冲测试参数(新增栅极脉冲电压)，尽量使获取到的每一个MOS管的特性参数和特性曲线都无限接近芯片实际工作中的状态，以实现最终定位到具体失效MOS管的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 失效 分析 定位 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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