[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202310324630.3 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116053210B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 齐栋洋;檀婧;朱文丽 | 申请（专利权）人： | 合肥新晶集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/265 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 周旋 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底之上形成多个间隔排布的栅极结构；于各栅极结构的侧壁形成预侧墙；于衬底的上表层、各栅极结构的上表层以及各预侧墙的表面形成介质层，其中，介质层与衬底之间形成有缝隙；去除部分介质层，以形成侧墙结构；侧墙结构包括去除部分介质层后，保留在预侧墙的侧壁顶部的部分介质层；基于各侧墙结构对衬底的待注入区域进行离子注入；待注入区域位于各栅极结构之间的衬底内。采用本方法能够简化离子注入的工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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