[发明专利]降低研磨后体镍污染的清洗及碱腐蚀工艺在审
| 申请号： | 202310327501.X | 申请日： | 2023-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN116403893A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王鸣;徐暎昊;杨晓瞳;林杰 | 申请（专利权）人： | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种降低研磨后体镍污染的清洗及碱腐蚀工艺，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在清洗设备的药液槽内，硅片在第一槽进行碱腐蚀前预清洗，接着第二槽通过快速排水冲洗的作用。第二步：在清洗设备的药液槽内，硅片在第三槽内进行碱腐蚀反应，完成碱腐蚀反应后由第四槽通过快速排水冲洗的作用。第三步：在清洗设备的药液槽内，硅片在第五槽内进行腐蚀后清洗，完成腐蚀后清洗由第六槽通过快速排水冲洗的作用。第四步：在第七槽采用慢提拉槽结构在温度为35℃的纯水中清洗。第五步：采用红外烘干对硅片表面的水分进行消除，烘干温度为60℃。解决了保证产能的同时控制Ni扩散的问题。有效去除研磨工序造成表面的镍污染。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 研磨 后体镍 污染 清洗 腐蚀 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，未经杭州中欣晶圆半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310327501.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
