[发明专利]微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法及其应用在审
| 申请号： | 202310330648.4 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116297401A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 高磊;张衡;屈庆源;王青松;吴海红 | 申请（专利权）人： | 苏州迈为科技股份有限公司;苏州迈正科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;H01L31/072;H01L31/0745;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 向薇 |
| 地址： | 215200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法，采用微晶硅薄膜晶化率测试样品作为拉曼基底进行拉曼光谱测试，所述微晶硅薄膜晶化率测试样品按照待研究的微晶工艺条件沉积在测试基底上的。所述微晶硅薄膜晶化率测试样品包括衬底和层叠于衬底上的本征氢化非晶硅膜。区别于传统衬底，本发明微晶硅薄膜晶化率测试基底具有本征氢化非晶硅膜，能够有效解决传统衬底影响微晶硅薄膜生长或诱导微晶硅薄膜结晶的缺点。从而本发明微晶硅薄膜晶化率测试样品能够准确地测定微晶硅薄膜的晶化率，进而监控微晶太阳电池硅薄膜的晶化率，为工艺调试中提供数据支撑，从而制备出高光电转化效率的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 微晶硅 薄膜 沉积 工艺 研究 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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