[发明专利]一种用于背封硅片的装置在审
| 申请号： | 202310340643.X | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116397216A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 郝宁;王力 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/46;C23C16/40;C23C16/458;C30B25/18;H01L21/67 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 侯丽丽;姚勇政 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种用于背封硅片的装置，所述装置包括用于将反应气体供应至所述硅片以在所述硅片上生长背封膜的反应气体供应单元，所述反应气体供应单元构造成使得供应至所述硅片的中心区域的反应气体的第一流速大于供应至所述硅片的边缘区域的反应气体的第二流速。能够避免因硅片中心加热温度低导致的背封膜厚度不均匀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 硅片 装置 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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