[发明专利]一种钙钛矿太阳电池n/i界面的修饰方法在审
| 申请号： | 202310364607.7 | 申请日： | 2023-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN116367562A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 丁毅;王雅;韩梅斗雪;侯国付;赵颖;张晓丹 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H10K30/80 | 分类号： | H10K30/80;H10K85/00;H10K85/50;H10K30/50;H10K30/40;H10K71/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钙钛矿太阳电池n/i界面的修饰方法，钙钛矿太阳电池包括透明导电衬底、电子传输层、n/i界面修饰层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极，所述n/i界面修饰层为甲酸甲脒材料，所述甲酸甲脒材料是同时包括羧基和氨基化合物的修饰层。本发明通过该界面修饰层，可有效提高电子传输材料的电学性质，钝化电子传输层表面的缺陷。此外，甲酸甲脒还可以通过在n/i界面处构造化学桥从而提高界面接触性能，并通过调节钙钛矿生长过程获得高质量的钙钛矿薄膜。同时，该修饰层对于器件的开路电压、短路电流密度、填充因子、光电转换效率都有显著的提升作用；本发明提出的修饰方法为制备高效的常规钙钛矿太阳电池提供了一个广阔前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 太阳电池 界面 修饰 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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