[发明专利]一种硅基光电器件单片集成方法在审
| 申请号： | 202310371075.X | 申请日： | 2023-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN116598387A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 胡浩;柳俊;向诗力 | 申请（专利权）人： | 湖北九峰山实验室 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/28;H01L33/18 |
| 代理公司： | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基光电器件单片集成方法，包括如下步骤：在硅衬底上形成光子隔离层；在光子隔离层上沉积非晶硅层；对非晶硅层进行激光退火，使非晶硅层表层晶化为多晶硅层；在非晶硅层制备光无源器件；在多晶硅层制备光有源器件。本发明的方法能够协同发挥非晶硅传输损耗小、多晶硅迁移率高的优势，从而提高光电器件品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 器件 单片 集成 方法 | ||
【主权项】：
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