[发明专利]一种SPAD阵列制备方法和SPAD芯片

摘要

本申请涉及半导体领域，公开了一种SPAD阵列制备方法，包括在衬底表面沉积第一介质层和第二介质层；在第二介质层表面涂覆图形化光刻胶；刻蚀第二介质层形成图形化第二介质层；利用图形化第二介质层和图形化光刻胶的遮挡，对衬底进行掺杂形成PN结；烧结图形化光刻胶，形成开口变大的图形化光刻胶；以开口变大的图形化光刻胶作为掩膜，刻蚀图形化第二介质层，并在处理后图形化第二介质层的开口区域形成第三介质层；去除处理后图形化第二介质层，并利用第三介质层的遮挡对衬底进行掺杂，形成深P型阱；去除第一介质层和第三介质层；进行后续工艺处理，得到SPAD阵列。本申请只需进行一次光刻和一个光罩，降低制作成本，同时降低工艺难度。