[发明专利]SOI自热效应的测量结构及测量方法在审
| 申请号： | 202310380753.9 | 申请日： | 2023-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116224009A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 胡宁宁 | 申请（专利权）人： | 中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/02;G01K13/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SOI自热效应的测量结构及测量方法，所述方法包括：断开SOI器件，测量不同温度下电阻的阻值，得到电阻温度系数；导通所述SOI器件，测量室温下所述电阻的阻值；根据室温下所述电阻的阻值与所述电阻温度系数计算所述电阻的温度；根据各位置处的所述电阻的阻值与温度得到温度与位置的关系式。与现有技术中的自热效应的测量方法相比，本发明方法简单，且能够得到器件不同位置处的温度，从而对自热效应的表征更加准确。 | ||
| 搜索关键词： | soi 热效应 测量 结构 测量方法 | ||
【主权项】：
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