[发明专利]一种提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法在审
| 申请号： | 202310382122.0 | 申请日： | 2023-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN116247135A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 唐先胜;刘伟业;谭新辉;韩丽丽;王兆伟;宫卫华;张伟 | 申请（专利权）人： | 山东省科学院激光研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;占园 |
| 地址： | 272071 山东省济宁市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及LED芯片技术领域。一种提高出光效率的LED芯片表面结构制备方法包括清理AlGaInP基红色LED的晶圆表面的油污；利用等离子体增强化学沉积，在晶圆的表面沉积预设厚度的二氧化硅；将稀释的光刻胶涂覆在晶圆表面，在第一预设温度下烘烤；利用干涉曝光，对晶圆进行第一次曝光，调整晶圆角度，再对调整角度后的晶圆进行第二次曝光；将第二次曝光后的晶圆，在第二预设温度下烘烤，使光刻胶在晶圆表面形成半球形阵列图形；利用等离子体刻蚀，将半球形阵列图形的光刻胶转移至二氧化硅上；利用LED制备方法制成LED芯片。本申请具备纳米级二氧化硅半球阵列的LED芯片的光提取效率得到提高，且不会影响器件的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 效率 led 芯片 表面 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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