[发明专利]提高器件抗浪涌能力的SGT MOSFET结构、方法及结构制备方法在审
| 申请号： | 202310383746.4 | 申请日： | 2023-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116314337A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 徐永年;苗东铭;杨世红;余远强 | 申请（专利权）人： | 陕西亚成微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L29/66;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710199 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高器件抗浪涌能力的SGT MOSFET结构、方法及结构制备方法，用于解决SGT MOSFET导通时电源系统突然出现高的浪涌电流，导致SGT MOSFET过流烧坏进而降低整个电源系统可靠性的技术问题。本发明的SGT MOSFET结构将SGT MOSFET的栅极进行分区，分为第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极呈比例交错设置，在不增大器件尺寸的基础上，通过控制第一栅极和第二栅极中的一个完全导通，另外一个不完全导通或关断，以降低通过SGT MOSFET的电流，从而防止SGT MOSFET导通时系统突然出现高的浪涌电流对电源系统的损坏，在不增大器件内阻的情况下大大提高了电源系统的可靠性，可以广泛应用在热插拔这类特殊应用的系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 器件 浪涌 能力 sgt mosfet 结构 方法 制备 | ||
【主权项】：
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