[发明专利]一种晶圆加热装置及晶圆处理设备在审
| 申请号： | 202310401992.8 | 申请日： | 2023-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN116313928A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 无锡先为科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H05B6/36 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张俊珏;张静洁 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆加热装置，用于晶圆处理设备，所述晶圆处理设备包括反应腔，所述反应腔内设有用于承载晶圆的基板，所述晶圆加热装置包含：至少一个感应线圈，所述感应线圈包括多匝；至少一个感应加热板，所述感应线圈感应加热所述感应加热板，所述晶圆加热装置通过所述感应加热板向晶圆提供热量，多匝的所述感应线圈包括正对所述感应加热板的第一区域；至少一个调节块，所述调节块能拆卸地套设在所述感应线圈上，所述调节块配置为铁磁性材料或导电材料并位于所述第一区域内，以对所述感应线圈在所述感应加热板处的磁场分布的进行局部调节。本发明还包含一种晶圆处理设备。本发明在不改变感应线圈排布的前提下，保证晶圆表面均温。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加热 装置 处理 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡先为科技有限公司，未经无锡先为科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310401992.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便携式艺术设计绘图用画笔清洗整理装置
- 下一篇：一种显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
