[发明专利]一种LED芯片及其制备方法在审
申请号: | 202310432455.X | 申请日: | 2023-04-21 |
公开(公告)号: | CN116344701A | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 张雪;李美玲;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 | 申请(专利权)人: | 江西兆驰半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/42 | 分类号: | H01L33/42;H01L33/38;H01L33/06;H01L33/12 |
代理公司: | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人: | 彭琰 |
地址: | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明提供一种LED芯片及其制备方法,通过在LED芯片的电极上环设绝缘层,由于绝缘层环绕设置于电极上,即电极之间金属迁移的路径上,可以对LED芯片中P/N电极之间的横向金属迁移速率进行限制,又由于绝缘层的厚度大于等于电极厚度,可以对LED芯片中P/N电极之间的横向金属迁移方向进行限制,最终使得电极脱落的状况得到改善,具体的,因为绝缘层包括相互配合使用的第一绝缘子层和第二绝缘子层,折射率小的第一绝缘子层可以使得Si‑N键结数量降低,提升抗高逆压性能,折射率大的第二绝缘子层可以使得致密性得到提高,避免水汽进入,从而进一步改善电极脱落的状况。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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