[发明专利]一种LED芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310432455.X 申请日: 2023-04-21
公开(公告)号: CN116344701A 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 张雪;李美玲;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 申请(专利权)人: 江西兆驰半导体有限公司
主分类号: H01L33/42 分类号: H01L33/42;H01L33/38;H01L33/06;H01L33/12
代理公司: 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 代理人: 彭琰
地址: 330000 江西省南昌市南*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明提供一种LED芯片及其制备方法,通过在LED芯片的电极上环设绝缘层,由于绝缘层环绕设置于电极上,即电极之间金属迁移的路径上,可以对LED芯片中P/N电极之间的横向金属迁移速率进行限制,又由于绝缘层的厚度大于等于电极厚度,可以对LED芯片中P/N电极之间的横向金属迁移方向进行限制,最终使得电极脱落的状况得到改善,具体的,因为绝缘层包括相互配合使用的第一绝缘子层和第二绝缘子层,折射率小的第一绝缘子层可以使得Si‑N键结数量降低,提升抗高逆压性能,折射率大的第二绝缘子层可以使得致密性得到提高,避免水汽进入,从而进一步改善电极脱落的状况。
搜索关键词: 一种 led 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
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