[发明专利]一种加热盘及其制造方法、一种半导体设备在审
| 申请号： | 202310437661.X | 申请日： | 2023-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN116403943A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 荒见淳一 | 申请（专利权）人： | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 马天琪 |
| 地址： | 214112 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种加热盘及其制造方法、一种半导体设备，加热盘包括：温度调节层，温度调节层包括多个调温区域，多个调温区域之间的面积差值小于目标阈值，也就是多个调温区域之间的面积基本相等，调温区域设置有至少一个金属回路，利用金属回路对调温区域的温度进行调节，降低加热盘不同调温区域之间的温差，以便多个调温区域之间的温度相同，即利用对应于某一个调温区域的金属回路对该调温区域的温度进行微调，实现不同调温区域之间温度的均衡，进而提高加热盘的温度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加热 及其 制造 方法 半导体设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
