[发明专利]一种精确控制层状材料内粒子扩散和/或插层位置的方法在审
| 申请号： | 202310447284.8 | 申请日： | 2023-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN116516145A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 诸葛福伟;王晗;王金鹏;余军;翟天佑 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C21D10/00 | 分类号： | C21D10/00;C21D9/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于电子材料制造领域，公开了一种精确控制层状材料内粒子扩散和/或插层位置的方法，对于二维材料上待进行粒子扩散和/或插层的目标区域，首先在二维材料内引入应力形变，使目标区域与非目标区域的边界线与引入应力形变的位置相重合；然后，在二维材料上形成保护层并设置暴露窗口；接着，使粒子由暴露窗口扩散至二维材料中，并限制在目标区域中，从而实现对扩散和/或插层位置的精确控制。本发明通过在目标扩散和/或插层区域的边界位置额外引入应力，使材料产生局域形变导致层间距变小，提升扩散能垒，从而精确限制粒子扩散位置，能够有效解决层状材料内粒子扩散插层时位置难以精确控制的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 精确 控制 层状 材料 粒子 扩散 位置 方法 | ||
【主权项】：
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