[发明专利]一种II类超晶格光电探测器及其制作方法

摘要

本申请涉及红外探测技术领域，公开了一种II类超晶格光电探测器及其制作方法，包括：衬底层，依次位于衬底层上的DBR反射层和UTC结构；UTC结构包括层叠设置的底部接触层、漂移层、吸收层、势垒层和顶部接触层。在UTC结构中，光生载流子在未耗尽的吸收层中被激发，只有电子被注入到漂移层中，缩短了器件的光生载流子传输时间，提高了器件的响应速度；DBR反射层与空气组合形成谐振器结构，可以将穿透吸收层的光反射回吸收层，增加器件的光吸收，并且DBR反射层设计灵活，适用于不同的波段，提高了器件的设计灵活性，在满足足够高的光吸收的情况下，吸收层厚度可以适当减小，从而降低了器件的暗电流，提高了器件的光电性能。