[发明专利]功率半导体器件、半导体芯片和半导体芯片的制备方法在审
| 申请号： | 202310461172.8 | 申请日： | 2023-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN116404043A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 季明华 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 於菪珉 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种功率半导体器件、半导体芯片和半导体芯片的制备方法。功率半导体器件包括：第一掺杂区，第一掺杂区被配置为经由设于该第一掺杂区上方的漏极接触接收漏极信号；栅极结构，栅极结构包括栅介质层和栅电极，栅介质层的第一栅介质部分覆盖在第一掺杂区的一部分的上方，以及栅电极覆盖在栅介质层的上方；第一隔离区，第一隔离区嵌设于第一掺杂区中，且第一隔离区在横向方向上位于漏极接触的靠近栅极结构的一侧上；以及第一拓扑材料层，第一拓扑材料层包括插置于第一掺杂区与第一隔离区之间的第一拓扑材料部分，其中，第一拓扑材料层的导电性质随着栅电极的电位的变化而变化。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 半导体 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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