[发明专利]半导体测试结构及半导体参数测试方法有效
| 申请号： | 202310462222.4 | 申请日： | 2023-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN116230575B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 姜中鹏;汪恒 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体测试结构及半导体参数测试方法，该测试结构包括有源层、栅极结构、多各引线组以及导电连接层，其中：有源层包括有源组，有源组包括多个沿第一方向间隔分布的有源区；栅极结构在有源组上的正投影贯穿多个有源区；各引线组分别位于各有源区上，并与有源区接触连接，且各引线组均位于栅极结构的同一侧；导电连接层位于引线组远离有源层的一侧，且包括多个沿第一方向间隔分布的第一导电连接部，第一导电连接部连接于相邻的两个引线组之间，以将各有源区串联。本公开的半导体测试结构可提高引线组的电学参数的测试结果的准确率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 参数 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310462222.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
