[发明专利]高阶芯片去层至衬底的方法在审
| 申请号： | 202310473528.X | 申请日： | 2023-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN116387149A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘晋平;蒙夏萍 | 申请（专利权）人： | 苏试宜特（深圳）检测技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 屈明明 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市宝安区新安*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高阶芯片去层至衬底的方法，高阶芯片包括衬底以及连接于所述衬底上方依次叠加的至少三层铜制程金属层，所述方法包括步骤：用离子蚀刻的方式将芯片减薄至顶层金属层；将减薄后的芯片反复交替放入氢氟酸和硝酸中进行短时浸泡，直至芯片衬底上方的所有金属层和氧化层全部去除；对浸泡后的芯片进行清洗；对清洗后的芯片进行烘干。一本方法适用于对高阶芯片去层至衬底，能够快速有效地将衬底上所有金属、氧化层及脏污去除，且不损伤衬底结构，提高了样品制备良率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 去层至 衬底 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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