[发明专利]一种高纯一体化氮化硅散热基板的制作方法在审
| 申请号： | 202310474135.0 | 申请日： | 2023-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN116477958A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刘立新;王中然;李琳伟 | 申请（专利权）人： | 长沙新立硅材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/587 | 分类号： | C04B35/587;C04B35/622;C04B35/64;H01L21/48;H01L23/373 |
| 代理公司： | 杭州君锐达知识产权代理有限公司 33544 | 代理人： | 应孔月 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市高新开发区*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯一体化氮化硅散热基板的制作方法，属于大功率半导体模块封装的技术领域，包括：S1、将高纯氮化硅粉体与全氢聚硅氮烷(PHPS)充分混合，加入无水乙醇，充分搅拌均匀后，制得氮化硅基的浆料；S2、将S1中的浆料注入薄膜流延设备，流延成型为一定的厚度的薄基板；S3、将S2中得到的薄基板放置于干燥烘干设备中进行烘干处理；S4、将S3处理好的氮化硅基板放置于烧结炉中，抽真空，充入氮气和/或者氨气，维持正压，升温至熔融状态，待炉内温度稳定一段时间后断电，降温处理，随炉冷却制得高纯一体化氮化硅基板。该基板可用于大功率电子半导体模块的散热使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 一体化 氮化 散热 制作方法 | ||
【主权项】：
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