[发明专利]一种芯片近场磁场测量系统在审

专利信息
申请号: 202310476780.6 申请日: 2023-04-28
公开(公告)号: CN116482588A 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 杨光;周宁;金雪莹;孙旭旭;李抵非;邱春玲;田地 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: G01R33/10 分类号: G01R33/10;G01R33/00;G01R31/00
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 王爱涛
地址: 130000 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明公开了一种芯片近场磁场测量系统,涉及磁场测量技术领域。所述系统包括:激光发射调制装置、光路调整模块、金刚石片、电控二维位移台、CCD相机和电磁屏蔽控制装置;通过设置激光发射调制装置和电磁屏蔽控制装置发出调制激光和量子态调控微波,与被测芯片测量区域的近场磁场共同作用下生成荧光信号,根据被测芯片上不同测量区域对应的荧光信号,确定被测芯片的近场磁场分布。本发明通过设置激光发射调制装置和电磁屏蔽控制装置能够提高大面积芯片近场磁场的测量效率。
搜索关键词: 一种 芯片 近场 磁场 测量 系统
【主权项】:
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