[发明专利]一种半导体工艺设备的腔室清洁方法和半导体工艺设备在审
申请号: | 202310477170.8 | 申请日: | 2023-04-27 |
公开(公告)号: | CN116623153A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 刘学庆;王晶 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C14/22;C23C16/52;C23C14/54;H01L21/67 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 杨柳苑 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的腔室清洁方法和半导体工艺设备,该方法包括:当确定了需要清洁的目标后序腔室时,将前序腔室中的其中一个腔室作为目标前序腔室,并停止向目标前序腔室输入晶圆;当检测到在目标前序腔室中完成了工艺的晶圆,在后序腔室中也完成了工艺,并且,目标后序腔室中没有晶圆时,停止向目标后序腔室输入晶圆,并对目标前序腔室以及目标后序腔室进行清洁。通过同时对前序腔室和后序腔室执行自动清洁,可以避免晶圆在前序腔室和后序腔室之间排队等待,从而可以避免腔室清洁导致晶圆加工效果下降。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 工艺设备 清洁 方法 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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