[发明专利]一种晶圆离心式清洗工艺及其清洗设备在审
申请号: | 202310480375.1 | 申请日: | 2023-04-28 |
公开(公告)号: | CN116487249A | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 俞辉;韩五静;王晨 | 申请(专利权)人: | 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/02;B08B13/00 |
代理公司: | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人: | 李坤 |
地址: | 244000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种晶圆离心式清洗工艺及其清洗设备,通过臭氧水、酸洗药液以及中性药液依次对晶圆表面进行清洗,重复2‑4次,保证了晶圆表面清洗的效果,同时清洗设备中的保护装置能够根据清洗工艺控制不同的喷头处于不同的状态,提高了晶圆清洗的质量,对设备进行了有效保护。该能够降低Haze数值以及让Haze分布更加均匀,提高了晶圆清洗的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 离心 清洗 工艺 及其 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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