[发明专利]一种基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法在审
| 申请号： | 202310480510.2 | 申请日： | 2023-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN116479486A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 张国栋;许金龙;程光华;吕静 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C25D5/36 | 分类号： | C25D5/36;C25D5/44;C25D5/34;C25D7/12;C25D21/12 |
| 代理公司： | 西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙) 61226 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 710068 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于电沉积技术领域，涉及一种基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法，包括以下步骤：1)基底材料预处理，2)镀膜，在预处理后的基底材料上沉积绝缘薄膜层；3)激光选区除膜，根据待沉积图案，利用超快激光在基底材料上进行图形化选区，剥蚀图形化选区的绝缘薄膜层；4)电沉积，将剥蚀后的基底材料置于电化学沉积环境中进行电镀，在基底材料的选区上沉积出三维微结构。本发明提供一种基于超快激光选区剥蚀掩膜的定域电沉积方法，工艺简单、电沉积效率高、能容易沉积出三维结构；通过循环重复，实现立体、多层、多种材料在基底材料上的沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 激光 选区 剥蚀 定域电 沉积 方法 | ||
【主权项】：
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