[发明专利]半导体深接触孔结构研磨方法在审
| 申请号： | 202310488591.0 | 申请日： | 2023-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN116175298A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 贺术;陈献龙;韩佳锡;谢辉;蔡磊;王晓芳 | 申请（专利权）人： | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B5/48 | 分类号： | B24B5/48;B24B5/50;B24B49/00;B24B49/16;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 范伟民 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体深接触孔结构研磨方法，包括提供一具有深接触孔的初始半导体结构；在第一研磨条件下，第一研磨盘研磨去除初始半导体结构的表面钨金属层和阻挡/黏附层，且暴露初始半导体结构的氮化硅阻挡层；在第二研磨条件下，第二研磨盘研磨去除氮化硅阻挡层及部分初始半导体结构的二氧化硅介电层，且暴露二氧化硅介电层及深接触孔的一端，深接触孔内填充有内部阻挡层和内部钨金属层；通过第三研磨盘研磨去除部分厚度的二氧化硅介电层、深接触孔内的内部阻挡层及内部钨金属层，得到研磨面平坦的目标半导体结构，本申请保证深接触孔结构平坦化效果，避免氮化硅残留及提高了产品电性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 接触 结构 研磨 方法 | ||
【主权项】：
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