[发明专利]一种高纯致密碳化硅陶瓷材料及其固相烧结方法和应用在审
| 申请号： | 202310499409.1 | 申请日： | 2023-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN116535218A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 彭康;左林杰;王红洁;苏磊;庄磊;牛敏;卢德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/577 | 分类号： | C04B35/577;C04B35/64;C04B35/66 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高纯致密碳化硅陶瓷材料及其固相烧结方法和应用，属于碳化硅陶瓷材料制备技术领域。其制备过程如下：1)以碳化硅粉、烧结助剂、液态有机树脂为原料，将原料混制、干燥并压制成型，制得生坯，将生坯保温、排胶处理；2)将排胶后的生坯进行烧结，烧结过程中利用烧结温度与气压协同耦合，生坯先后经过真空烧结、常压烧结与加压烧结三级烧结处理，制得高纯致密碳化硅陶瓷材料。本发明制备的碳化硅陶瓷，致密度高，气孔率低，具有良好的力学性能，并且整体制备工艺操作简单，为工业生产制备大尺寸、高温性能优异高纯致密碳化硅陶瓷材料提供了新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 致密 碳化硅 陶瓷材料 及其 烧结 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310499409.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
