[发明专利]具备低导通动态特性的外延材料层及其制备方法、器件在审
| 申请号： | 202310512094.X | 申请日： | 2023-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN116387346A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王琦;梁智文;刘强;王新强 | 申请（专利权）人： | 北京大学东莞光电研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/205;H01L21/203;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 韩烁 |
| 地址： | 523000 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具备低导通动态特性的外延材料层及其制备方法、器件，该外延材料层的结构比较薄，不需要传统外延结构的应力释放层及高耐压调控层，通过直接把传统中外延结构缓冲层的结构去除，相当于把这外延结构的起到电子俘获的材料缺陷直接去除,从而实现低导通动态电阻特性，由于氮化镓沟道层本身漏电低，没有缓冲层漏电通道，所以也实现了高耐压，900V‑1200V，高达到1700伏，相比现有技术获得了较高的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 低导通 动态 特性 外延 材料 及其 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
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