[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202310530111.2 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN116504821A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 林科闯;请求不公布姓名;孙希国;蔡仙清;卢益锋;谷鹏;张辉;王哲力 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口，在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触。在源极金属和漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属，即磁性介质层位于栅极金属之下，使得磁性介质层能够受栅极金属的电压调控，产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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