[发明专利]一种SiC半导体点火材料、制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种SiC半导体点火材料、制备方法及应用，属于航空发动机点火系统制备技术领域，该点火材料按质量分数计包括复合烧结助剂粉末、30～70％SiC粉末、10～40％的莫来石粉末和0～20％的ZrO2粉末；其制备方法将SiO2、La2O3、Yb2O3、Gd2O3、Sr2O3、MgO、Na2O和K2O混合均匀，中温烧结，制备复合烧结助剂粉末；再将复合烧结助剂粉末与SiC粉末、莫来石粉末和ZrO2粉末混合均匀，制得SiC半导体复合粉末，最后，通过压制成坯、排胶、高温烧结，制得SiC半导体点火材料，利用该点火材料制备的点火电嘴具有耐高温、耐腐蚀、耐热冲击等优异性能，解决现有技术中SiC半导体点火材料制备的点火电嘴耐高温性能差、耐电火花/盐雾腐蚀性能不足、以及耐热冲击性能不足的问题。