[发明专利]LDMOS器件的制备方法及其结构有效
| 申请号： | 202310554950.8 | 申请日： | 2023-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN116314288B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 马凤麟;于绍欣 | 申请（专利权）人： | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 范伟民 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种LDMOS器件的制备方法及其结构，包括：提供一衬底，且在衬底上沉积外延层；在外延层上沉积第一HTO层；沉积SiN保护层覆盖第一HTO层，以形成初始场板区；光刻并刻蚀初始场板区，得到去除了非场板结构的目标场板区，目标场板区包括第二HTO层和覆盖第二HTO层的SiN保护层；酸洗去除用于在外延层内形成阱掺杂区的第一光刻胶层和用于在外延层内形成漂移区的第二光刻胶层；通过热磷酸漂洗去除SiN保护层，且暴露第二HTO层。本申请采用HTO层作为LDMOS器件的场板，且在HTO层上沉积SiN保护层对HTO层进行防护，HTO层场板厚度不会随湿法去胶次数改变而改变，从而使LDMOS器件耐压性能均匀稳定。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 制备 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于粤芯半导体技术股份有限公司，未经粤芯半导体技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310554950.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：3D目标检测模型的训练方法、装置、设备及存储介质
- 下一篇：一种射钉
- 同类专利
- 专利分类
