[发明专利]一种控制直拉单晶液面距的方法在审
| 申请号： | 202310558556.1 | 申请日： | 2023-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN116288662A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 孙晨光;孔凯斌;周宏邦;贾海洋;王淼;张强;王彦君;娄中士;侯明超;刘伟 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种控制直拉单晶液面距的方法，包括：进入稳温工序时，调节液位检测装置至预设液面距高度；进行硅溶液表面位置探测：判断液位检测装置是否与硅溶液液面接触，若是，则控制坩埚下降，否则，控制坩埚上升；重复上述步骤，直至停炉工序，停止液面距控制。本发明的有益效果是根据液位检测装置是否与硅溶液表面接触来控制坩埚上升或下降，使得实际液面距与预设液面距相适应，在拉晶过程中实时调节实际液面距与预设液面距之间的关系，使得实际液面距与预设液面距保持动态平衡，使得实际液面距满足拉晶工艺要求，保证液面距按照工艺要求准确控制，保证直拉单晶尤其是IC级半导体单晶对温度梯度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 直拉单晶 液面 方法 | ||
【主权项】：
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