[发明专利]一种双相HfMoNbZr高熵合金氮化物薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202310574774.4 | 申请日： | 2023-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN116623138A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 谢明强;施杰;胡恒宁;周彤;杜昊;李潇阳;康建军;刘浩 | 申请（专利权）人： | 成都工具研究所有限公司;贵州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人： | 冉剑侠 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及高熵陶瓷领域，公开了一种双相HfMoNbZr高熵合金氮化物薄膜及其制备方法，该薄膜以HfMoNbZr四元合金作为靶材，以硬质合金块体和硅片作为基体经磁控溅射沉积获得，薄膜中各元素原子百分含量为Hf 12％～14％、Mo 13％～15％、Nb 11％～14％、Zr11％～14％、N 45％～50％。高熵合金氮化物薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤一、对硬质合金基体进行抛光处理；步骤二、去除硬质合金块体和硅片基体表面的油污和粘结剂；步骤三、薄膜沉积：在真空条件下，以HfMoNbZr四元合金为靶材、硬质合金块体和硅片为基体，通入惰性气体氩气和反应气体氮气进行薄膜沉积。本发明可有效提高薄膜的耐磨性，制备而成的薄膜适用于模具和刀具等易磨损领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hfmonbzr 合金 氮化物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都工具研究所有限公司;贵州大学，未经成都工具研究所有限公司;贵州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310574774.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
