[发明专利]一种导电薄膜的制备方法和导电薄膜在审
申请号: | 202310575743.0 | 申请日: | 2023-05-22 |
公开(公告)号: | CN116497331A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 臧世伟;刘文卿 | 申请(专利权)人: | 重庆金美新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/14 |
代理公司: | 北京卓岚智财知识产权代理有限公司 11624 | 代理人: | 沈煜华 |
地址: | 401420 重庆市綦江*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明提供一种导电薄膜的制备方法和导电薄膜,所述制备方法包括:取薄膜基材;通过真空镀膜的方式在所述薄膜基材的表面层积上合金层,所述合金层中包含第一种金属和第二种金属;其中,所述第一种金属是比所述第二种金属易于氧化的金属。本发明实施例制备的导电薄膜,通过在合金层中添加比第二种金属易于氧化的第一种金属,可以避免导电薄膜在于空气接触的过程中第二种金属被氧化,因为在导电薄膜与空气接触过程中,由于第一种金属易于氧化,所以先氧化第一种金属,而避免第二种金属被氧化,而本发明实施例中的导电薄膜是依赖于第二种金属进行导电的,所以本实施例中的并不会改变导电薄膜上面的金属层的方阻,进而不会降低导电薄膜的导电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
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