[发明专利]一种薄层Pt金属电极的溅射生长方法在审
| 申请号： | 202310577530.1 | 申请日： | 2023-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN116623139A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张向锋;贺琦璐;张利学;丁嘉欣;陶飞;陈刚;王三煜;毛思雨 | 申请（专利权）人： | 中航凯迈（上海）红外科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/54 |
| 代理公司： | 洛阳市凯旋专利事务所(普通合伙) 41112 | 代理人： | 冯雯雯 |
| 地址： | 201311 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明介绍了一种薄层Pt金属电极的溅射生长方法，S1：将试验样片放入溅射台溅射腔体内，手动操作模式下设置溅射功率40 W‑50 W；S2：手动操作将溅射腔体抽真空至不高于3×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 薄层 pt 金属电极 溅射 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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