[发明专利]氮化镓功率器件封装前的处理方法及封装结构在审
| 申请号： | 202310610675.7 | 申请日： | 2023-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN116646256A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李湛明 | 申请（专利权）人： | 苏州量芯微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 沈宗晶 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市金*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓功率器件封装前的处理方法及封装结构，所述处理方法包括：提供待封装的氮化镓晶圆；采用镀膜工艺在氮化镓晶圆背面形成绝缘材料或半绝缘材料层；对氮化镓晶圆进行切割形成多个氮化镓芯片；通过导电胶层将氮化镓芯片上形成有绝缘材料或半绝缘材料层的一面粘附于金属背板上。本发明中采用镀膜工艺在氮化镓晶圆背面形成绝缘材料或半绝缘材料层，其均匀度和厚度更容易控制，绝缘材料或半绝缘材料层的均匀度提高能够防止漏电，而通过导电胶层将氮化镓芯片粘附于金属背板，导电胶层能够导电，对电流并不会造成影响，绝缘材料或半绝缘材料层与导电胶层的组合使得氮化镓功率器件更好的控制电流，提高了氮化镓功率器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 功率 器件 封装 处理 方法 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州量芯微半导体有限公司，未经苏州量芯微半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310610675.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
