[发明专利]沟槽的填充方法

摘要

本申请公开了一种沟槽的填充方法，包括：在第一外延层上形成硬掩模层，第一外延层形成于硅衬底上；在硬掩模层中形成第一沟槽，第一沟槽底部的第一外延层暴露；进行刻蚀，刻蚀至第一沟槽下方第一外延层中的预定深度，在第一外延层中形成第二沟槽，第二沟槽的深度和宽度的比值大于4；进行预处理以去除第二沟槽表面的杂质；通过采用纯硅源的外延沉积工艺在第二沟槽表面形成硅晶种层；通过底压外延沉积工艺形成第二外延层，第二外延层填充所述第二沟槽；去除第二沟槽外的硬掩模层和第二外延层。本申请先通过采用纯硅源的外延沉积工艺在沟槽表面形成硅晶种层，再通过底压外延沉积工艺形成第二外延层，降低了沟槽中填充的外延层产生缺陷的几率。