[发明专利]一种碳化硅及其生长装置和生长方法在审
| 申请号： | 202310623791.2 | 申请日： | 2023-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN116623284A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张永伟;袁振洲;刘欣宇 | 申请（专利权）人： | 江苏超芯星半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市中国（江苏）自由*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅及其生长装置和生长方法，所述生长装置包括：容器本体；保温层，设置于所述容器本体的内部，所述保温层的顶部设置有一开口，所述开口能容纳测温装置；坩埚，设置于所述保温层的内部，所述坩埚的底部设置有凸设于所述坩埚内部的腔室，所述坩埚包括坩埚盖，位于所述坩埚的顶部，所述坩埚盖上开设有贯穿的孔洞；发热体，所述发热体包括柱体和盘体，所述柱体嵌入到所述腔室内，所述盘体设置于所述保温层的内部；感应线圈，设置于所述容器本体的周围。采用该装置合成的碳化硅后续无需酸洗，且料块松散，无需采用常规破碎工艺，可有效避免金属污染问题，并且破碎后仅采用少量纯水即可进行冲洗，有效减少了纯水用量，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 及其 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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