[发明专利]一种SGT MOS工艺TVS器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：基板主体，基板主体包括第一导电类型的衬底和形成在衬底上的异质外延层，基板主体包括元胞区、触发区和终端区；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管；元胞区及元胞区至触发区包括：形成在外延层中的第一导电类型的源区，形成在外延层中的相互隔离的第一多晶硅和第二多晶硅；其中第二多晶硅位于第一多晶硅的上方；形成在第一多晶硅、第二多晶硅、外延层中的与互连金属相接的第二导电类型的体区；源区构成MOS管的源极，衬底作为MOS管的漏极，第二多晶硅构成MOS管的栅极和栅极结构，栅极结构与MOS管的栅极相连接；元胞区外的第一多晶硅构成栅极电阻。