[发明专利]半导体器件的终端结构有效
| 申请号： | 202310639732.4 | 申请日： | 2023-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN116404033B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 祁金伟 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件的终端结构，半导体器件的终端结构包括：第一表面、第二表面、在第一表面与第二表面之间层叠设置的第一半导体层和第二半导体层、由第一表面向第二表面延伸设置的多个沟槽，第一半导体层为主结，沟槽位于第一半导体层沿第一方向上的一侧，沟槽设置有掺杂层，至少部分沟槽的延伸尺寸沿第一方向呈逐渐减小的趋势。其中，沟槽包括子沟槽，沿第一表面至第二表面的方向上，各沟槽内第一级子沟槽至第N级子沟槽依次分布，至少部分相邻两个沟槽中靠近主结的一者包括M个子沟槽，另一者包括M‑1个子沟槽，第一方向为主结指向沟槽的方向，N≥1，且M≥2。本申请能够有效改善终端耐压性能的同时，降低耐压结构的工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
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